宽禁带半导体混合测试平台
(SiC/GaN+IGBT)

产品简介

宽禁带半导体混合测试平台(SiC/GaN+IGBT)是一款专为研究与开发设计的高效能功率测试平台,兼容SiC、GaN与传统IGBT功率器件,提供多种电路拓扑测试功能,适用于现代高频开关电源设计与优化。系统支持高达5MHz的开关频率,尤其针对SiC与GaN器件的高速特性,栅极信号的上升时间小于5ns,适合高速开关测试。平台内置预置的10种常见拓扑电路(如Buck、Boost、LLC),支持自动切换拓扑,并且切换时间小于1秒,确保高效的测试与优化。功率精度可达到±0.1%,并支持实时损耗计算,包括Eon/Eoff与反向恢复能量等重要指标。数据分析模块提供数据可视化,支持CSV、Excel格式导出,为工程师提供可靠的决策支持。该平台还具备完善的保护功能,能够自动关断以防过压、过流等异常情况,确保测试的安全性和准确性。该平台在高频应用、功率器件优化及高效能开关电源设计领域,提供了一个高性价比的解决方案。

核心参数

宽禁带半导体混合测试平台(SiC/GaN+IGBT)
适用器件 SiC、GaN、IGBT、MOSFET功率器件
兼容拓扑 Buck、Boost、LLC等常见电路拓扑
高频测试模块
开关频率 DC-5MHz(SiC/GaN专用模式,支持高频开关测试)
栅极信号上升时间 <5ns(GaN驱动,适应高速开关应用)< /td>
驱动电压 ±20V(可调,支持多种半导体驱动要求)
保护功能 过压、过流、过温保护(自动关断)
多拓扑支持模块
拓扑库 预置10种标准电路拓扑(Buck/Boost/LLC等,支持自定义拓扑设计)
切换时间 <1秒(机械继电器与固态混合切换)< /td>
开关模式 支持周期调制(PWM)、斜坡调制、增益调制等模式
电压调节 可调输入/输出电压范围:0V-600V(支持电压和电流反馈调节)
效率与损耗分析模块
功率精度 ±0.1%(在满量程范围内)
损耗计算 实时显示Eon/Eoff、反向恢复能量、开关损耗等参数
测量精度 ±0.5%(功率、损耗及电流、电压测量精度)
分析软件 内置分析软件,提供数据可视化和报表生成,支持CSV/Excel导出
系统功能与扩展性
控制方式 HMI触控屏 + PC端软件支持(USB/LAN连接)
数据存储 支持大容量存储(SSD 128GB,实时数据保存)
环境适应性 工作温度:10°C ~ 35°C,湿度:20% ~ 80% RH(无凝露)
电源要求 AC 220V ±10%,50Hz,功率≤1kW