该系统集成静态与动态电性能测试功能，适用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件的生产和研发。采用模块化架构，可灵活配置测试单元，实现多种封装（如TO-247、TO-220、TO-264、SOT-227）和DBC裸片器件的快速切换。支持自动夹持、探针定位、参数测试和数据记录，兼容工业与车规标准，适用于中小型企业或实验室的中低端应用场景。该系统提供高效、准确的测试能力，助力功率器件的快速研发与生产验证。

高温老化测试系统专为功率器件的长期稳定性评估设计，支持IGBT模块、MOSFET等器件在高达200℃的环境中运行，温度控制精度优于±2℃。系统配备200MHz带宽、500MS/s采样率的动态波形采集模块，实时监控Eon/Eoff、Vce(sat)等关键指标。支持高达3000A的脉冲电流注入，适用于加速老化测试。通过图形化HMI或PC软件控制，提供数据存储、漂移报警等功能，广泛应用于科研机构与企业实验室的寿命预测与可靠性评估。